东方网5月26日消息：日本著名的照像机厂商尼康公司和佳能公司最近宣布，他们将联合开发5年后使用的新一代半导体器件光刻机。为此，两公司将共同分担近5亿美元的开发经费，并在技术上密切合作。其目的是与掌握先进技术的美国Intel、IBM和德国inf-nion技术公司等国际强大的竞争对手一争雌雄，夺取近300亿美元的光刻机国际市场的主导权。

目前尼康公司在步进式光刻机的市场上雄居首位，佳能公司排名世界第3位。然而他们面临美国厂商的激烈竞争。在2001年内起动的新一代光刻机开发，将有近10家厂商参加。该项开发是以康佳和佳能先进的光刻机技术为基础进行。

为了制造新一代半导体器件，必须使用尽可能细的线路宽度。新一代光刻机将利用极紫外光（EUV）激光作为光源，其波长为193纳米或153纳米。采用这种激光为光源的光刻机，可使半导体器件的线路宽度在2004年时为目前的1/5，即0.03微米。

这种新型光刻机可制造出比目前器件存储容量和处理能力均大10倍的新一代半导体器件。

目前世界各半导体器件制造设备厂商均在研究新一代器件的生产技术。采用极紫外线（EUV）激光作为光源的光刻机技术是最为合适的技术，该技术是美国和德国在1997年联合开发成功的。